МТСТС8-4-100-4 Triac-module DATASHEET

МТСТС8-4-100-4. Основные параметры

Параметр	Обозначение	Величина	Ед.изм.
Тип		Triac-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии	VDRM	400	V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии	IT(RMS)	100	A
Ударный ток в открытом состоянии	ITSM	880	A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии	dI/dt	63	A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии	dV/dt	100	V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения	Tstg, Tj	-40..125	°C
Тепловое сопротивление переход-среда	RTH(j-a)	0.64	K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус	RTH(j-c)	0.27	K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления	VGT	3	V
Импульсное напряжение в открытом состоянии	VTM	1.7	V
Отпирающий постоянный ток управления	IGT	150	mA

МТСТС8-4-100-4 - English Version

Поиск замены для МТСТС8-4-100-4

Символ		Значение	Ед.Изм.
Тип
PGM	>		W
VDRM	>		V
IT(AVR)	>		A
IT(RMS)	>		A
ITSM	>		A
dI/dt	>		A/µs
dV/dt	>		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Корпус

Поиск

МТСТС8-4-100-4 Datasheet. Страница #1

Страница #2

Описание

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС8/4, МТСТС8/5 Общие сведения Модули симисторные состоят из двух силовых полупроводниковых элементов тиристорных сим- метричных (триаков) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным. Представлены следующими ти- поисполнениями: МТСТС8/4-100, МТСТ�