МТСТС8-4-125-5 Triac-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

МТСТС8-4-125-5. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 500 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 125 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1100 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 63 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 100 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 1.08 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.22 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 150 mA

МТСТС8-4-125-5 - English Version

Поиск замены для МТСТС8-4-125-5

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

МТСТС8-4-125-5 Datasheet. Страница #1

МТСТС8-4-125-5
 datasheet

Страница #2

МТСТС8-4-125-5
 datasheet #2

Описание

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС8/4, МТСТС8/5 Общие сведения Модули симисторные состоят из двух силовых полупроводниковых элементов тиристорных сим- метричных (триаков) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным. Представлены следующими ти- поисполнениями: МТСТС8/4-100, МТСТ