МТТ7-3-16-10 SCR-module DATASHEET
Параметр | Обозначение | Величина | Ед.изм. |
---|---|---|---|
Тип |
SCR-module | ||
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии |
VDRM | 1000 | V |
Максимальный средний ток в открытом состоянии |
IT(AVR) | 16 | A |
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии |
IT(RMS) | 25 | A |
Ударный ток в открытом состоянии |
ITSM | 200 | A |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии |
dI/dt | 100 | A/µs |
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии |
dV/dt | 1000 | V/µs |
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения |
Tstg, Tj | -40..125 | °C |
Тепловое сопротивление переход-корпус |
RTH(j-c) | 1.6 | K/W |
Отпирающее постоянное напряжение управления |
VGT | 2.5 | V |
Импульсное напряжение в открытом состоянии |
VTM | 1.8 | V |
Отпирающий постоянный ток управления |
IGT | 60 | mA |
Ток удержания |
IH | 70 | mA |
МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МТТ7/3, МТД7/3 и МДТ7/3 Общие сведения Модули МТТ7/3, МТД7/3, МДТ7/3 состоят из двух полупроводниковых структур (тиристорных, диодных) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием. Представлены следующими типо- исполнениями: