ТБИ173-2000 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

ТБИ173-2000. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 2000 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.01 K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.15 V

ТБИ173-2000 - English Version

Поиск замены для ТБИ173-2000

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

ТБИ173-2000 Datasheet. Страница #1

ТБИ173-2000
 datasheet

Страница #2

ТБИ173-2000
 datasheet #2

Описание

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Быстродействующий Низкие динамические потери Импульсный Тиристор Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для Тип ТБИ173-2000-12 высоких скоростей нарастания тока Средний прямой ток ITAV 2000 A Повторяющееся импуль