ТБ271-200 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

ТБ271-200. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1400 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 200 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 6000 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.08 K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.96 V

ТБ271-200 - English Version

Поиск замены для ТБ271-200

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

ТБ271-200 Datasheet. Страница #1

ТБ271-200
 datasheet

Страница #2

ТБ271-200
 datasheet #2

Описание

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Штыревой Прижимная конструкция Быстродействующий Низкие динамические потери Тиристор Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Тип TБИ271-200-14 Средний прямой ток ITAV 200 A Повторяющееся импульсное напряжение в