Т653-800 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

Т653-800. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 6500 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 800 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 17500 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 800 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj ..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.02 K/W
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.4 V

Т653-800 - English Version

Поиск замены для Т653-800

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

Т653-800 Datasheet. Страница #1

Т653-800
 datasheet

Страница #2

Т653-800
 datasheet #2

Описание

ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкочастотный Высокая стойкость к Тиристор электротермоциклированию Низкие статические и динамические потери Тип Т653-800-65 Разработан для промышленного применения Средний прямой ток ITAV 800 A Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом U