1000PT20C0 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

1000PT20C0. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 2 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 2000 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 1000 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 2000 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 17800 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 1000 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.04 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.62 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 300 mA
Ток удержания IH 600 mA

1000PT20C0 - English Version

Поиск замены для 1000PT20C0

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

1000PT20C0 Datasheet. Страница #1

1000PT20C0
 datasheet

Страница #2

1000PT20C0
 datasheet #2

Описание

RoHS RoHS SEMICONDUCTOR RoHS 1000PT Series RoHS SEMICONDUCTOR Fig. 1 Fig. 2 Peak on-state voltage Vs. Peak on-state Current Max. Junction to heatsink thermal impedance Vs. Time 3 0.03 2.5 0.02 2 Tj = 125 C 1.5 0.01 1 0.5 0 100 1000 10000 0.001 0.01 0.1 1 10 Instantaneous on-state current , A Time , S Fig. 3 Fig. 4 Max. Power Dissipation Vs. Mean on-state Current Max. heatsink Temperature Vs. Mean on-state Current 2500 140 120 180 0 180 0 2000 180 120 100