100NTT-80 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

100NTT-80. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 100 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 220 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 2000 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 300 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -65..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.3 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.4 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 100 mA
Ток удержания IH 100 mA
Корпус M1-A

100NTT-80 - English Version

Поиск замены для 100NTT-80

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

100NTT-80 Datasheet. Страница #1

100NTT-80
 datasheet

Страница #2

100NTT-80
 datasheet #2

Описание

100NTT Naina Semiconductor Ltd. Thyristor – Thyristor Module, 100A Features • Improved glass passivation for high reliability • Exceptional stability at high temperatures • High di/dt and dv/dt capabilities • Low thermal resistance Maximum Ratings (TA = 250C unless otherwise noted) Parameter Symbol Values Units Maximum average forward current @ TJ = IF(AV) 100 A 850C Maximum average RMS forward current IF(RMS) 220 A Maximum non-repetitive surge current IF