1150PT16C0 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

1150PT16C0. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 2 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 1150 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 2000 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 19000 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 1000 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.04 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.62 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 300 mA
Ток удержания IH 600 mA

1150PT16C0 - English Version

Поиск замены для 1150PT16C0

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

1150PT16C0 Datasheet. Страница #1

1150PT16C0
 datasheet

Страница #2

1150PT16C0
 datasheet #2

Описание

RoHS RoHS SEMICONDUCTOR RoHS 1150PT Series RoHS SEMICONDUCTOR www.nellsemi.com Page 2 of 2