12T06AF-B Triac DATASHEET
Параметр | Обозначение | Величина | Ед.изм. |
---|---|---|---|
Тип |
Triac | ||
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии |
VDRM | 600 | V |
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии |
IT(RMS) | 12 | A |
Ударный ток в открытом состоянии |
ITSM | 120 | A |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии |
dI/dt | 50 | A/µs |
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии |
dV/dt | 400 | V/µs |
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения |
Tstg, Tj | -40..125 | °C |
Тепловое сопротивление переход-среда |
RTH(j-a) | 60 | K/W |
Тепловое сопротивление переход-корпус |
RTH(j-c) | 2.3 | K/W |
Отпирающее постоянное напряжение управления |
VGT | 1.3 | V |
Импульсное напряжение в открытом состоянии |
VTM | 1.55 | V |
Отпирающий постоянный ток управления |
IGT | 50 | mA |
Ток удержания |
IH | 50 | mA |
Корпус |
TO-220F |
RoHS 12T Series RoHS SEMICONDUCTOR TRIACs, 12A Snubberless, Logic Level and Standard FEATURES A2 Medium current triac Low thermal resistance with clip bonding 1 Low thermal resistance insulation ceramic 2 3 A1 for insulated TO-220AB package A2 G High commutation (4Q) or very high TO-220AB (non-Insulated) TO-220AB (lnsulated) commutation (3Q) capability (12TxxA) (12TxxAI) 12T series are UL certified (File ref: E320098) Packages are RoHS compliant A2 APPLICATIONS