12T10AI-SW Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

12T10AI-SW. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1000 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 12 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 120 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 40 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 60 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.3 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.56 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 10 mA
Ток удержания IH 15 mA
Корпус TO-220AB

12T10AI-SW - English Version

Поиск замены для 12T10AI-SW

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

12T10AI-SW Datasheet. Страница #1

12T10AI-SW
 datasheet

Страница #2

12T10AI-SW
 datasheet #2

Описание

RoHS 12T Series RoHS SEMICONDUCTOR TRIACs, 12A Snubberless, Logic Level and Standard FEATURES A2 Medium current triac Low thermal resistance with clip bonding 1 Low thermal resistance insulation ceramic 2 3 A1 for insulated TO-220AB package A2 G High commutation (4Q) or very high TO-220AB (non-Insulated) TO-220AB (lnsulated) commutation (3Q) capability (12TxxA) (12TxxAI) 12T series are UL certified (File ref: E320098) Packages are RoHS compliant A2 APPLICATIONS