130NT3 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

130NT3. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 300 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 130 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 204 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 3300 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -30..150 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.25 K/W
Ток удержания IH 70 mA

130NT3 - English Version

Поиск замены для 130NT3

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

130NT3 Datasheet. Страница #1

130NT3
 datasheet

Страница #2

130NT3
 datasheet #2

Описание

13 130NTD Naina Semiconductor emiconductor Ltd. Thyristor Thyristor – Diode Module Features • Improved glass passivation for high reliability Improved glass passivation for high reliability • Exceptional stability at high temperatures • High di/dt and dv/dt capabilities • Low thermal resistance Maximum Ratings (TA = 250C unless otherwise noted) C unless otherwise noted) Parameter Symbol Values Units Maximum average forward current @ TJ = IF(AV) 130 A 850