1450PTH16D40 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

1450PTH16D40. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 1450 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 22000 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 60 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..150 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.02 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 300 mA
Ток удержания IH 1000 mA

1450PTH16D40 - English Version

Поиск замены для 1450PTH16D40

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

1450PTH16D40 Datasheet. Страница #1

1450PTH16D40
 datasheet

Страница #2

1450PTH16D40
 datasheet #2

Описание

SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR