150NT-100 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

150NT-100. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1000 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 150 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 235 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 5700 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 200 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -60..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.11 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 150 mA
Ток удержания IH 200 mA
Корпус TO-209AB

150NT-100 - English Version

Поиск замены для 150NT-100

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

150NT-100 Datasheet. Страница #1

150NT-100 datasheet

Страница #2

150NT-100 datasheet #2

Описание

150NT Naina Semiconductor emiconductor Ltd. Phase Control Thyristors Phase Control Thyristors (Stud Type), 150A Features • Improved glass passivation for high reliability glass passivation for high reliability • Exceptional stability at high temperatures Exceptional stability at high temperatures • High di/dt and dv/dt capabilities • Metric thread type available • Low thermal resistance Electrical Ratings (T = 250C, unless otherwise noted) C, unless otherwise