195PT12A0 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

195PT12A0. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 2 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1200 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 195 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 407 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1700 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 1000 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 1000 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.14 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.66 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 150 mA
Ток удержания IH 600 mA

195PT12A0 - English Version

Поиск замены для 195PT12A0

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

195PT12A0 Datasheet. Страница #1

195PT12A0
 datasheet

Страница #2

195PT12A0
 datasheet #2

Описание

RoHS RoHS SEMICONDUCTOR RoHS 195PT Series RoHS SEMICONDUCTOR Y24KPE Y24KPE 1 Y24KPE 1 Y24KPE Y24KPE 11 www.nellsemi.com Page 2 of 3 RoHS 195PT Series RoHS SEMICONDUCTOR 2.5 31.25 2.5 2V,200mA μ , , www.nellsemi.com Page 3 of 3 , ,