2N2322 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

2N2322. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 25 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1.6 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 15 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Корпус TO-205AD

2N2322 - English Version

Поиск замены для 2N2322

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

2N2322 Datasheet. Страница #1

2N2322
 datasheet

Страница #2

2N2322
 datasheet #2

Описание

2n2322 to 2n2326 SILICON THYRISTORS SILICON THYRISTORS All-diffused PNPN thyristors designed for grating operation in mA/µA signal or detection circuits Compliance to RoHS. MAXIMUM RATINGS (*) TJ=125°C unless otherwise noted, RGK=1000Ω Symbol Ratings 2N2322 2N2323 2N2324 2N2325 2N2326 Unit Peak reverse blocking voltage VRRM(REP) 25 50 100 150 200 V (*) VRSM(NON- Non-repetitive peak blocking 40 75 150 225 300 V reverse voltage (t<5.0 ms) REP) Forward Current RM