2N2327 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

2N2327. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 250 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 1 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1.6 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 15 A
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -65..125 °C
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.2 mA
Ток удержания IH 2 mA
Корпус TO-205AD

2N2327 - English Version

Поиск замены для 2N2327

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

2N2327 Datasheet. Страница #1

2N2327
 datasheet

Страница #2

2N2327
 datasheet #2

Описание

2N2327 thur 2N2329 SILICON THYRISTORS SILICON THYRISTORS All-diffused PNPN thyristors designed for grating operation in mA/µA signal or detection circuits Compliance to RoHS. MAXIMUM RATINGS (*) TJ=125°C unless otherwise noted, RGK=1000Ω Symbol Ratings 2N2327 2N2328 2N2329 Unit VRSM(REP) Peak reverse blocking voltage (1) 250 300 400 V VRSM(NON- Non-repetitive peak blocking reverse 350 400 500 V voltage (t<5.0 ms) REP) Forward Current RMS IT(RMS) 1.6 A (all cond