2N6075 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

2N6075. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 30 mA
Ток удержания IH 30 mA
Корпус TO-225

2N6075 - English Version

Поиск замены для 2N6075

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

2N6075 Datasheet. Страница #1

2N6075
 datasheet

Страница #2

2N6075
 datasheet #2

Описание

DATA SHEET 2N6071, A, B 2N6073, A, B 2N6075, A, B SENSITIVE GATE TRIAC 4.0 AMPS, 200 THRU 600 VOLTS TO-126 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6071, A, B series types are silicon sensitive gate triacs designed for such applications as light dimmers, motor controls, heating controls, and power supplies. MAXIMUM RATINGS (TJ=25°C unless otherwise noted) 2N6071 2N6073 2N6075 2N6071A 2N6073A 2N6075A SYMBOL 2N6071B 2N6073B 2N6075B UNITS Peak Repetitive Off-State