2N6402G SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

2N6402G. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 16 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 160 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.03 mA
Корпус TO-220

2N6402G - English Version

Поиск замены для 2N6402G

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

2N6402G Datasheet. Страница #1

2N6402G datasheet

Страница #2

2N6402G datasheet #2

Описание

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 2N6400/D 2N6400 thru Silicon Controlled Rectifiers 2N6405 Reverse Blocking Triode Thyristors . . . designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls, SCRs heating controls and power supplies; or wherever half–wave silicon gate–controlled, 16 AMPERES RMS solid–state devices are needed. 50 thru 800 VOLTS • Glass Passivated Junctions with Center Gate Geometry for Greater Parameter