2N6403TG SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

2N6403TG. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 16 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 160 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.03 mA
Корпус TO-220

2N6403TG - English Version

Поиск замены для 2N6403TG

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

2N6403TG Datasheet. Страница #1

2N6403TG
 datasheet

Страница #2

2N6403TG
 datasheet #2

Описание

2N6400 Series Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supplies; or wherever half-wave silicon gate-controlled, solid-state devices are needed. http://onsemi.com Features SCRs • Glass Passivated Junctions with Center Gate Geometry for Greater 16 AMPERES RMS Parameter Uniformity and Stability 50 thru 800 VOLTS • Small, Rugged, Thermowatt Construction for