2N6504G SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

2N6504G. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 50 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 300 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.03 mA
Корпус TO-220

2N6504G - English Version

Поиск замены для 2N6504G

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

2N6504G Datasheet. Страница #1

2N6504G
 datasheet

Страница #2

2N6504G
 datasheet #2

Описание

2N6504 Series Preferred Device Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half‐wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits. http://onsemi.com Features • Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater SCRs Parameter Uniformity and Stability 25 AMPERES RMS • Small, Rugged, Thermowatt Constructed for Low Thermal 50 thru 800 VOLTS Resistance, High Heat Dissipation a