2N6606 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

2N6606. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 60 V
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 6 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-206AA

2N6606 - English Version

Поиск замены для 2N6606

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

2N6606 Datasheet. Страница #1

2N6606
 datasheet

Страница #2

2N6606
 datasheet #2

Описание

2N6605 2N6606 2N6607 www.centralsemi.com 2N6608 DESCRIPTION: SILICON CONTROLLED RECTIFIER The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6605 Series 0.35 AMP, 30 THRU 200 VOLTS types are hermetically sealed silicon controlled rectifiers manufactured in a TO-18 case, designed for control systems and sensing circuit applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-18 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C) SYMBOL 2N6605 2N6606 2N6607 2N6608 UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 30 60 100 200 V