2N691 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

2N691. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 700 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 16 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 25 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 150 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 10 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -65..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.7 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 40 mA
Ток удержания IH 0.05 mA
Корпус TO-208AA

2N691 - English Version

Поиск замены для 2N691

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

2N691 Datasheet. Страница #1

2N691
 datasheet

Страница #2

2N691
 datasheet #2

Описание

Discrete Semiconductors Semitronics C35 Series: 2N681-2N692 Description Phase Control SCR 16 Amperes / 25-800 Volts Silicon Controlled Rectifiers (SCR) are reverse blocking triode thyristor semiconductor devices designed for power switching and phase control applications. They are all-diffused devices backed by years of design and field experience. Features • Low Gate Current • Low On-State Voltage • Hermetic Packaging Outline Drawing • Low Thermal Impeda