3000PT10E0 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

3000PT10E0. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 10 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1000 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 3000 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 3790 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 49900 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 400 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 200 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.01 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 300 mA
Ток удержания IH 300 mA

3000PT10E0 - English Version

Поиск замены для 3000PT10E0

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

3000PT10E0 Datasheet. Страница #1

3000PT10E0
 datasheet

Страница #2

3000PT10E0
 datasheet #2

Описание

RoHS 3000PT Series RoHS SEMICONDUCTOR RoHS 3000PT Series RoHS SEMICONDUCTOR Fig. 1 Fig. 2 Peak on-state voltage Vs. Peak on-state Current Max. Junction to heatsink thermal impedance Vs. Time 0.018 2 0.015 1.6 0.012 Tj = 125 C 0.009 1.2 0.006 0.8 0.003 0 0.4 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 10000 Instantaneous on-state current , A Time , S Fig. 3 Fig. 4 Max. Power Dissipation Vs. Mean on-state Current Max. heatsink Temperature Vs. Mean on-state Current 4500 140 18