504DCR-14 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

504DCR-14. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1400 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 500 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 785 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 6000 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 1000 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 500 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.08 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 3 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.3 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 150 mA
Ток удержания IH 200 mA
Корпус TO-200AB

504DCR-14 - English Version

Поиск замены для 504DCR-14

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

504DCR-14 Datasheet. Страница #1

504DCR-14
 datasheet

Страница #2

504DCR-14
 datasheet #2

Описание

504DCR 504DCR Naina Semiconductor emiconductor Ltd. Phase Control Control Thyristors (Capsule Type) Features • Metal case with ceramic insulator • High current rating • Bifacial cooled • Center gate trigger Applications • DC motor controls • AC controllers TO-200AB (A-PUK) 200AB (A • DC power supplies Voltage Ratings VDRM/VRRM, Maximum Repetitive peak VRSM, Maximum non- IDRM/IRRM, Maximum at TJ = , Maximum Repetitive peak Type Voltage & off-