60NT3 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

60NT3. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 300 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 60 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 94 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1900 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 50 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 50 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -30..150 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.35 K/W
Ток удержания IH 100 mA

60NT3 - English Version

Поиск замены для 60NT3

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

60NT3 Datasheet. Страница #1

60NT3
 datasheet

Страница #2

60NT3
 datasheet #2

Описание

60NT3 Naina Semiconductor emiconductor Ltd. Non Non-isolated Thyristor Module Features • Low voltage three-phase • High surge current of 2500A @ 60Hz • Easy construction • Non-isolated • Mounting base as common anode Voltage Ratings (TC = 25OC unless otherwise specified) unless otherwise specified) Parameter Symbol Values Units Maximum repetitive peak VRRM 300 V reverse voltage Maximum non-repetitive VRSM 360 V peak reverse voltage Maximum repeti