70NTT-160 SCR-module DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

70NTT-160. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR-module
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 1600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 70 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 160 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 1500 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 300 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -65..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 0.45 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 100 mA
Ток удержания IH 100 mA
Корпус M1-A

70NTT-160 - English Version

Поиск замены для 70NTT-160

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

70NTT-160 Datasheet. Страница #1

70NTT-160
 datasheet

Страница #2

70NTT-160
 datasheet #2

Описание

70NTT Naina Semiconductor Ltd. Thyristor – Thyristor Module, 70A Features • Improved glass passivation for high reliability • Exceptional stability at high temperatures • High di/dt and dv/dt capabilities • Low thermal resistance Maximum Ratings (TA = 250C unless otherwise noted) Parameter Symbol Values Units Maximum average forward current @ TJ = IF(AV) 70 A 850C Maximum average RMS forward current IF(RMS) 160 A Maximum non-repetitive surge current IFSM