BTA04 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

BTA04. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимальный средний ток в открытом состоянии IT(AVR) 4 A
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 10 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 10 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 60 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 3.3 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 15 mA
Корпус TO-220F

BTA04 - English Version

Поиск замены для BTA04

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

BTA04 Datasheet. Страница #1

BTA04
 datasheet

Страница #2

BTA04
 datasheet #2

Описание

BTA04 双向可控硅/TRIAC 用途:用于需要高灵敏度触发的场合。 Purpose: General purpose applications where gate high sensitivity required. 特点:低控制极触发电流。 Features: Low gate triggering current. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 测试条件 数值 单位 Symbol Test condition Rating Unit V /V Tj=110℃ 600 V DRM RRM I T =90℃ 4.0 A T(RMS) C tp=8.3ms 42 A I TSM tp=10ms 40 A I2t tp=10ms 8.0 A2s Rep