BTA416Y-800C Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

BTA416Y-800C. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.5 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 16 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 160 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 100 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 300 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..150 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 60 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 1.9 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.7 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 35 mA
Ток удержания IH 35 mA
Корпус TO-220AB

BTA416Y-800C - English Version

Поиск замены для BTA416Y-800C

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

BTA416Y-800C Datasheet. Страница #1

BTA416Y-800C
 datasheet

Страница #2

BTA416Y-800C
 datasheet #2

Описание

BTA416Y-800C 3Q Hi-Com Triac 10 June 2014 Product data sheet 1. General description Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78D (TO-220AB) internally insulated plastic package intended for use in circuits where high static and dynamic dV/dt and high dI/dt can occur. This "series C" triac will commutate the full RMS current at the maximum rated junction temperature without the aid of a snubber. This device has high Tj operating capability and an internally isola