C106C1 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

C106C1. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 300 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 20 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Ток удержания IH 3 mA
Корпус TO-202

C106C1 - English Version

Поиск замены для C106C1

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

C106C1 Datasheet. Страница #1

C106C1
 datasheet

Страница #2

C106C1
 datasheet #2

Описание

C106A1 C106D1 C106B1 C106E1 C106C1 C106M1 www.centralsemi.com DESCRIPTION: SILICON CONTROLLED RECTIFIER The CENTRAL SEMICONDUCTOR C106A1 series 4 AMP, 100 THRU 600 VOLTS are PNPN silicon controlled rectifiers designed for applications such as temperature, light, speed control, process and remote control, and warning systems where reliability of operation is important. MARKING: FULL PART NUMBER TO-202 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) C106 C106 C106 C1