CQ202-4B-2 Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CQ202-4B-2. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 40 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.02 mA
Ток удержания IH 25 mA
Корпус TO-202-2

CQ202-4B-2 - English Version

Поиск замены для CQ202-4B-2

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CQ202-4B-2 Datasheet. Страница #1

CQ202-4B-2
 datasheet

Страница #2

CQ202-4B-2
 datasheet #2

Описание

CQ202-4B-2 CQ202-4D-2 CQ202-4M-2 www.centralsemi.com CQ202-4N-2 DESCRIPTION: 4.0 AMP TRIAC The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ202-4B-2 200 THRU 800 VOLTS series type is an epoxy molded silicon triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING: FULL PART NUMBER TO-202-2 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) CQ202 CQ202 CQ202 CQ202 SYMBOL -4B-2 -4D-2 -4M-2 -4N-2 UNITS Peak Repetitive Off-State Volta