CQ202-4D-2 Triac DATASHEET

CQ202-4D-2. Основные параметры

Параметр	Обозначение	Величина	Ед.изм.
Тип		Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии	VDRM	400	V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии	IT(RMS)	4	A
Ударный ток в открытом состоянии	ITSM	40	A
Отпирающее постоянное напряжение управления	VGT	1.5	V
Импульсное напряжение в открытом состоянии	VTM	1.6	V
Отпирающий постоянный ток управления	IGT	0.02	mA
Ток удержания	IH	25	mA
Корпус		TO-202-2

CQ202-4D-2 - English Version

Поиск замены для CQ202-4D-2

Символ		Значение	Ед.Изм.
Тип
PGM	>		W
VDRM	>		V
IT(AVR)	>		A
IT(RMS)	>		A
ITSM	>		A
dI/dt	>		A/µs
dV/dt	>		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Корпус

Поиск

CQ202-4D-2 Datasheet. Страница #1

Страница #2

Описание

CQ202-4B-2 CQ202-4D-2 CQ202-4M-2 www.centralsemi.com CQ202-4N-2 DESCRIPTION: 4.0 AMP TRIAC The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ202-4B-2 200 THRU 800 VOLTS series type is an epoxy molded silicon triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING: FULL PART NUMBER TO-202-2 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) CQ202 CQ202 CQ202 CQ202 SYMBOL -4B-2 -4D-2 -4M-2 -4N-2 UNITS Peak Repetitive Off-State Volta