CQ220-12B Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CQ220-12B. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 40 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 12 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 125 A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt 10 A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 100 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..110 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 60 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 2.7 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 25 mA
Ток удержания IH 25 mA
Корпус TO-220

CQ220-12B - English Version

Поиск замены для CQ220-12B

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CQ220-12B Datasheet. Страница #1

CQ220-12B
 datasheet

Страница #2

CQ220-12B
 datasheet #2

Описание

TM CQ220-12B CQ220-12D Central CQ220-12M Semiconductor Corp. CQ220-12N 12 AMP TRIAC DESCRIPTION: 200 THRU 800 VOLTS The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ220-12B series type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING CODE: FULL PART NUMBER TO-220 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CQ220 CQ220 CQ220 CQ220 -12B -12D -12M -12N UNITS Peak Repetitive Off-State Volta