CQ220-25M Triac DATASHEET

CQ220-25M. Основные параметры

Параметр	Обозначение	Величина	Ед.изм.
Тип		Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе	PGM	40	W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии	VDRM	600	V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии	IT(RMS)	25	A
Ударный ток в открытом состоянии	ITSM	210	A
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии	dI/dt	10	A/µs
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии	dV/dt	250	V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения	Tstg, Tj	-40..125	°C
Тепловое сопротивление переход-среда	RTH(j-a)	60	K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус	RTH(j-c)	1.7	K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления	VGT	1.5	V
Импульсное напряжение в открытом состоянии	VTM	1.8	V
Отпирающий постоянный ток управления	IGT	50	mA
Ток удержания	IH	50	mA
Корпус		TO-220

CQ220-25M - English Version

Поиск замены для CQ220-25M

Символ		Значение	Ед.Изм.
Тип
PGM	>		W
VDRM	>		V
IT(AVR)	>		A
IT(RMS)	>		A
ITSM	>		A
dI/dt	>		A/µs
dV/dt	>		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Корпус

Поиск

CQ220-25M Datasheet. Страница #1

Страница #2

Описание

TM CQ220-25B CQ220-25D Central CQ220-25M Semiconductor Corp. CQ220-25N 25 AMP TRIAC DESCRIPTION: 200 THRU 800 VOLTS The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ220-25B series type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING CODE: FULL PART NUMBER TO-220 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CQ220 CQ220 CQ220 CQ220 -25B -25D -25M -25N UNITS Peak Repetitive Off-State Volta