CQ223-4N Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CQ223-4N. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 40 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.75 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.75 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.01 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус SOT-223

CQ223-4N - English Version

Поиск замены для CQ223-4N

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CQ223-4N Datasheet. Страница #1

CQ223-4N
 datasheet

Страница #2

CQ223-4N
 datasheet #2

Описание

CQ223-4M CQ223-4N www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: 4 AMP SILICON TRIAC The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ223-4M series 600 THRU 800 VOLTS type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-223 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CQ223-4M CQ223-4N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM 600 800 V RMS On-State Current (TC=