CQ39MS Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CQ39MS. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 3 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 35 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 30 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 160 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 9 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.1 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-205AD

CQ39MS - English Version

Поиск замены для CQ39MS

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CQ39MS Datasheet. Страница #1

CQ39MS
 datasheet

Страница #2

CQ39MS
 datasheet #2

Описание

DATA SHEET CQ39BS CQ39DS CQ39MS 4.0 AMP TRIAC 200 THRU 600 VOLTS JEDEC TO-39 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ39BS series type is a Hermetically Sealed Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CQ39BS CQ39DS CQ39MS UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM 200 400 600 V RMS On-State Current (TC=80°C) IT(RMS) 4.0 A Peak One