CQ89M Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CQ89M. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 0.1 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 10 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 5 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 10 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 10 mA
Ток удержания IH 10 mA
Корпус SOT-89

CQ89M - English Version

Поиск замены для CQ89M

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CQ89M Datasheet. Страница #1

CQ89M
 datasheet

Страница #2

CQ89M
 datasheet #2

Описание

TM CQ89D Central CQ89M Semiconductor Corp. CQ89N 1.0 AMP TRIAC DESCRIPTION: 400 THRU 800 VOLTS The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ89D series types are epoxy molded silicon triacs designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING CODE: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C) SYMBOL CQ89D CQ89M CQ89N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM 400 600 800 V RMS On-State Current (TC=80°C) IT (RMS) 1.0 A Peak