CQ92M Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CQ92M. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Максимальная рассеиваемая импульсная мощность на управляющем переходе PGM 3 W
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 20 A
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dV/dt 30 V/µs
Максимально допустимая температура перехода и температура хранения Tstg, Tj -40..125 °C
Тепловое сопротивление переход-среда RTH(j-a) 180 K/W
Тепловое сопротивление переход-корпус RTH(j-c) 90 K/W
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 2 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.26 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 5 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-92

CQ92M - English Version

Поиск замены для CQ92M

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CQ92M Datasheet. Страница #1

CQ92M
 datasheet

Страница #2

CQ92M
 datasheet #2

Описание

TM CQ92B Central CQ92D Semiconductor Corp. CQ92M CQ92N TRIAC DESCRIPTION: 1.0 AMP, 200 THRU 800 VOLTS The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQ92B Series are epoxy molded silicon Triacs designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING CODE: FULL PART NUMBER TO-92 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CQ92B CQ92D CQ92M CQ92N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM 200 400 600 800 V RMS On-State Curre