CQDD-12N Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CQDD-12N. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 12 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 80 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.5 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.02 mA
Ток удержания IH 25 mA
Корпус TO-263

CQDD-12N - English Version

Поиск замены для CQDD-12N

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CQDD-12N Datasheet. Страница #1

CQDD-12N
 datasheet

Страница #2

CQDD-12N
 datasheet #2

Описание

CQDD-12M CQDD-12N www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: 12 AMP SILICON TRIAC The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQDD-12M series 600 THRU 800 VOLTS type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING: FULL PART NUMBER D2PAK CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CQDD-12M CQDD-12N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM 600 800 V RMS On-State Current (TC=9