CQDD-8M Triac DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CQDD-8M. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип Triac
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 50 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.75 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.02 mA
Ток удержания IH 25 mA
Корпус TO-263

CQDD-8M - English Version

Поиск замены для CQDD-8M

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CQDD-8M Datasheet. Страница #1

CQDD-8M
 datasheet

Страница #2

CQDD-8M
 datasheet #2

Описание

CQDD-8M CQDD-8N www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: 8 AMP SILICON TRIAC The CENTRAL SEMICONDUCTOR CQDD-8M series 600 THRU 800 VOLTS type is an Epoxy Molded Silicon Triac designed for full wave AC control applications featuring gate triggering in all four (4) quadrants. MARKING: FULL PART NUMBER D2PAK CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CQDD-8M CQDD-8N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM 600 800 V RMS On-State Current (TC=90°C)