CS18M SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CS18M. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 1 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 10 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 2.15 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-206AA

CS18M - English Version

Поиск замены для CS18M

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CS18M Datasheet. Страница #1

CS18M
 datasheet

Страница #2

CS18M
 datasheet #2

Описание

CS18B CS18D CS18M www.centralsemi.com CS18N DESCRIPTION: SILICON CONTROLLED RECTIFIER The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS18B series 1 AMP, 200 THRU 800 VOLTS types are hermetically sealed silicon controlled rectifiers manufactured in a TO-18 case, designed for control systems and sensing circuit applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-18 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CS18B CS18D CS18M CS18N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 200