CS202-4N SCR DATASHEET

CS202-4N. Основные параметры

Параметр	Обозначение	Величина	Ед.изм.
Тип		SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии	VDRM	800	V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии	IT(RMS)	4	A
Ударный ток в открытом состоянии	ITSM	30	A
Отпирающее постоянное напряжение управления	VGT	0.8	V
Импульсное напряжение в открытом состоянии	VTM	1.8	V
Отпирающий постоянный ток управления	IGT	200	mA
Ток удержания	IH	2	mA
Корпус		TO-202

CS202-4N - English Version

Поиск замены для CS202-4N

Символ		Значение	Ед.Изм.
Тип
PGM	>		W
VDRM	>		V
IT(AVR)	>		A
IT(RMS)	>		A
ITSM	>		A
dI/dt	>		A/µs
dV/dt	>		V/µs
Tstg, Tj	>		°C
RTH(j-a)	<		K/W
RTH(j-c)	<		K/W
VGT	<		V
VTM	<		V
IGT	<		mA
IH	<		mA
Корпус

Поиск

CS202-4N Datasheet. Страница #1

Страница #2

Описание

CS202-4B CS202-4D CS202-4M www.centralsemi.com CS202-4N DESCRIPTION: 4.0 AMP SCR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS202-4B series 200 THRU 800 VOLTS type is an epoxy molded silicon controlled rectifier designed for sensing circuit applications and control systems. MARKING: FULL PART NUMBER TO-202 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) CS202 CS202 CS202 CS202 SYMBOL -4B -4D -4M -4N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 200 400 600 800 V RMS On-Stat