CS202-4N-2 SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CS202-4N-2. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Ток удержания IH 2 mA
Корпус TO-202-2

CS202-4N-2 - English Version

Поиск замены для CS202-4N-2

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CS202-4N-2 Datasheet. Страница #1

CS202-4N-2
 datasheet

Страница #2

CS202-4N-2
 datasheet #2

Описание

CS202-4B-2 CS202-4D-2 CS202-4M-2 www.centralsemi.com CS202-4N-2 DESCRIPTION: 4.0 AMP SCR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS202-4B-2 series 200 THRU 800 VOLTS type is an epoxy molded silicon controlled rectifier designed for sensing circuit applications and control systems. MARKING: FULL PART NUMBER TO-202-2 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) CS202 CS202 CS202 CS202 SYMBOL -4B-2 -4D-2 -4M-2 -4N-2 UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 200 400 60