CS39-4M SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CS39-4M. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 35 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.95 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-205AD

CS39-4M - English Version

Поиск замены для CS39-4M

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CS39-4M Datasheet. Страница #1

CS39-4M
 datasheet

Страница #2

CS39-4M
 datasheet #2

Описание

CS39-4B CS39-4D CS39-4M www.centralsemi.com CS39-4N DESCRIPTION: SILICON CONTROLLED RECTIFIER The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS39-4B series 4 AMP, 200 THRU 800 VOLTS types are hermetically sealed silicon controlled rectifiers designed for sensing circuit applications and control systems. MARKING: FULL PART NUMBER TO-39 CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) CS39 CS39 CS39 CS39 SYMBOL -4B -4D -4M -4N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 200 400 600