CS55BZ SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CS55BZ. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 200 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 10 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 20 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-92

CS55BZ - English Version

Поиск замены для CS55BZ

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CS55BZ Datasheet. Страница #1

CS55BZ datasheet

Страница #2

CS55BZ datasheet #2

Описание

DATA SHEET CS55BZ CS55DZ SILICON CONTROLLED RECTIFIER 0.8 AMPS, 200 AND 400 VOLTS TO-92 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS55BZ series type are epoxy molded silicon controlled rectifiers designed for applications requiring extremely low gate sensitivity. MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CS55BZ CS55DZ UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM,VRRM 200 400 V RMS On-State Current (TC=60oC) IT(RMS) 0.8 A Peak One Cycle Surge (t=10ms) I