CS55D SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CS55D. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 400 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 0.8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 10 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.7 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Ток удержания IH 5 mA
Корпус TO-92

CS55D - English Version

Поиск замены для CS55D

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CS55D Datasheet. Страница #1

CS55D
 datasheet

Страница #2

CS55D
 datasheet #2

Описание

DATA SHEET CS55B CS55D SILICON CONTROLLED RECTIFIER 0.8 AMPS, 200 AND 400 VOLTS TO-92 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS55B series type are epoxy molded silicon controlled rectifiers designed for applications requiring a low gate sensitivity. MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CS55B CS55D UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM,VRRM 200 400 V RMS On-State Current (TC=60oC) IT(RMS) 0.8 A Peak One Cycle Surge (t=10ms) ITSM 10 A I2