CSD-4N SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CSD-4N. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 4 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 30 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 0.8 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 200 mA
Ток удержания IH 2 mA
Корпус TO-252

CSD-4N - English Version

Поиск замены для CSD-4N

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CSD-4N Datasheet. Страница #1

CSD-4N
 datasheet

Страница #2

CSD-4N
 datasheet #2

Описание

CSD-4M CSD-4N www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: SILICON CONTROLLED RECTIFIERS The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSD-4M and 4.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT CSD-4N are epoxy molded SCRs designed for sensing circuit and control system applications. MARKING: FULL PART NUMBER DPAK CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CSD-4M CSD-4N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 600 800 V RMS On-State Current (TC=85°C) IT(RMS) 4.0 A Peak One Cycle Sur