CSD-8N SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CSD-8N. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 80 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.02 mA
Ток удержания IH 20 mA
Корпус TO-252

CSD-8N - English Version

Поиск замены для CSD-8N

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CSD-8N Datasheet. Страница #1

CSD-8N
 datasheet

Страница #2

CSD-8N
 datasheet #2

Описание

CSD-8M CSD-8N www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: SILICON CONTROLLED RECTIFIERS The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSD-8M and 8.0 AMP, 600 THRU 800 VOLT CSD-8N are epoxy molded SCRs designed for sensing circuit and control system applications. MARKING: FULL PART NUMBER DPAK CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CSD-8M CSD-8N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 600 800 V RMS On-State Current (TC=90°C) IT(RMS) 8.0 A Peak One Cycle Sur