CSDD-12M SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CSDD-12M. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 600 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 12 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 110 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.6 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.02 mA
Ток удержания IH 20 mA
Корпус TO-263

CSDD-12M - English Version

Поиск замены для CSDD-12M

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CSDD-12M Datasheet. Страница #1

CSDD-12M
 datasheet

Страница #2

CSDD-12M
 datasheet #2

Описание

CSDD-12M CSDD-12N www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: SILICON CONTROLLED RECTIFIER The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSDD-12M series 12 AMP, 600 THRU 800 VOLTS type is an Epoxy Molded Silicon Controlled Rectifier designed for sensing circuit applications and control systems. MARKING: FULL PART NUMBER D2PAK CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CSDD-12M CSDD-12N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 600 800 V RMS On-State Current (TC=9