CSDD-8N SCR DATASHEET

ПОИСК DATASHEET

CSDD-8N. Основные параметры

Параметр Обозначение Величина Ед.изм.
Тип SCR
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии VDRM 800 V
Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии IT(RMS) 8 A
Ударный ток в открытом состоянии ITSM 70 A
Отпирающее постоянное напряжение управления VGT 1.5 V
Импульсное напряжение в открытом состоянии VTM 1.8 V
Отпирающий постоянный ток управления IGT 0.02 mA
Ток удержания IH 20 mA
Корпус TO-263

CSDD-8N - English Version

Поиск замены для CSDD-8N

Символ Значение Ед.Изм.
Тип
PGM > W
VDRM > V
IT(AVR) > A
IT(RMS) > A
ITSM > A
dI/dt > A/µs
dV/dt > V/µs
Tstg, Tj > °C
RTH(j-a) < K/W
RTH(j-c) < K/W
VGT < V
VTM < V
IGT < mA
IH < mA
Корпус

CSDD-8N Datasheet. Страница #1

CSDD-8N
 datasheet

Страница #2

CSDD-8N
 datasheet #2

Описание

CSDD-8M CSDD-8N www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION: SILICON CONTROLLED RECTIFIER The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSDD-8M series 8 AMP, 600 THRU 800 VOLTS type is an Epoxy Molded Silicon Controlled Rectifier designed for sensing circuit applications and control systems. MARKING: FULL PART NUMBER D2PAK CASE MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C unless otherwise noted) SYMBOL CSDD-8M CSDD-8N UNITS Peak Repetitive Off-State Voltage VDRM, VRRM 600 800 V RMS On-State Current (TC=90°C)